TPS1100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPS1100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.791 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: SO8 TSSOP8

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TPS1100 datasheet

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TPS1100

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

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TPS1100

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

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TPS1100

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

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TPS1100

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

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