TPS1101 Todos los transistores

 

TPS1101 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPS1101
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.791 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8 TSSOP8
 

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Principales características: TPS1101

 ..1. Size:493K  texas
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TPS1101

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

 0.1. Size:490K  texas
 tps1101d tps1101pwr.pdf pdf_icon

TPS1101

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

 8.1. Size:485K  texas
 tps1100d tps1100pw.pdf pdf_icon

TPS1101

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

 8.2. Size:710K  texas
 tps1100 tps1100y.pdf pdf_icon

TPS1101

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

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