TPS1101 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPS1101  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.791 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: SO8 TSSOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de TPS1101 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TPS1101 datasheet

 ..1. Size:493K  texas
 tps1101 tps1101y.pdf pdf_icon

TPS1101

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

 0.1. Size:490K  texas
 tps1101d tps1101pwr.pdf pdf_icon

TPS1101

TPS1101, TPS1101Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS079C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.09 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin TSSOP

 8.1. Size:485K  texas
 tps1100d tps1100pw.pdf pdf_icon

TPS1101

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

 8.2. Size:710K  texas
 tps1100 tps1100y.pdf pdf_icon

TPS1101

TPS1100, TPS1100Y SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS SLVS078C DECEMBER 1993 REVISED AUGUST 1995 D OR PW PACKAGE D Low rDS(on) . . . 0.18 Typ at VGS = 10 V (TOP VIEW) D 3 V Compatible D Requires No External VCC SOURCE 1 8 DRAIN SOURCE 2 7 DRAIN D TTL and CMOS Compatible Inputs SOURCE DRAIN 3 6 D VGS(th) = 1.5 V Max GATE DRAIN 4 5 D Available in Ultrathin

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CSD87333Q3D, CSD87335Q3D, CSD87355Q5D, CSD87384M, CSD87588N, CSD88537ND, TPS1100, TPS1100Y, IRFB4227, TPS1101Y, TPS1120, TPS1120Y, TMA10N60H, TMA10N65H, TMP10N65H, TMA10N80H, TMA12N50H