TMA10N60H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMA10N60H

Código: A10N60H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm

Encapsulados: TO220F

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TMA10N60H datasheet

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TMA10N60H

TMA10N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA10N60H TO-220F A10N60H Abs

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TMA10N60H

TMA10N65H, TMP10N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA10N65H TO-220F A1

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TMA10N60H

TMA10N80H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA10N80H TO-220F A10N80H Abs

Otros transistores... CSD87588N, CSD88537ND, TPS1100, TPS1100Y, TPS1101, TPS1101Y, TPS1120, TPS1120Y, IRFP250N, TMA10N65H, TMP10N65H, TMA10N80H, TMA12N50H, TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H, TMP20N65H