TMA20N65HG Todos los transistores

 

TMA20N65HG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMA20N65HG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 249.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de TMA20N65HG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TMA20N65HG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  cn wuxi unigroup
 tma20n65hg tmw20n65hg.pdf pdf_icon

TMA20N65HG

TMA20N65HG,TMW20N65HG Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V N-Channel MOSFET Description 650V N-Channel MOSFET VDMOSFET is a double-diffusion device which the current flows is vertically, and is a voltage-controlled device. Under the control of the appropriate gate voltage, the semiconductor surface is inverted, forming a conductive channel and an appropriate amount of curre

 5.1. Size:364K  cn wuxi unigroup
 tma20n65h tmp20n65h.pdf pdf_icon

TMA20N65HG

TMA20N65H, TMP20N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA20N65H TO-220F A2

Otros transistores... TMA10N65H , TMP10N65H , TMA10N80H , TMA12N50H , TMA12N65H , TMP12N65H , TMA20N65H , TMP20N65H , 5N60 , TMW20N65HG , TMA2N60H , TMD2N60H , TMT2N60H , TMU2N60H , TMA4N60H , TMU4N60H , TMD4N60H .

History: TSM2N7002KCX | BRCS150N10SBD | CS6N120W

 

 
Back to Top

 


 
.