TMU8N65H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMU8N65H
   Código: U8N65H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 32 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 129 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMU8N65H

TMU8N65H Datasheet (PDF)

..1. Size:538K cn wuxi unigroup
tma8n65h tmc8n65h tmd8n65h tmu8n65h.pdf

TMA8N65H, TMC8N65H,TMD8N65H, TMU8N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA

8.1. Size:472K trinnotech
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TMD8N60AZ(G)/TMU8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

8.2. Size:470K cn wuxi unigroup
tma8n60h tmd8n60h tmu8n60h.pdf

TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-

9.1. Size:450K trinnotech
tmd8n25z tmu8n25z.pdf