FDB3652F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB3652F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB3652F085

FDB3652F085 Datasheet (PDF)

7.1. Size:590K fairchild semi
fdb3652 fdp3652.pdf

October 2013FDP3652 / FDB3652N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 61 A, 16 mApplicationsFeatures rDS(on) = 14 m ( Typ.), VGS = 10 V, ID = 61 A Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit Qg(tot) = 41 nC ( Typ.), VGS = 10 V Low Miller Charge Motor drives and Uninterruptible Power Supplies Low QRR Body Diode

7.2. Size:471K fairchild semi
fdb3652 f085.pdf

October 2008FDB3652_F085N-Channel PowerTrench MOSFET100V, 61A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous Rectif

7.3. Size:263K fairchild semi
fdb3652 fdp3652 fdi3652.pdf

October 2003FDB3652 / FDP3652 / FDI3652N-Channel PowerTrench MOSFET100V, 61A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Syn

7.4. Size:408K onsemi
fdb3652-f085.pdf

FDB3652-F085N-Channel PowerTrench MOSFET Applications100V, 61A, 16m DC/DC Converters and Off-line UPSFeatures Distributed Power Architectures and VRMs rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A Primary Switch for 24V and 48V Systems Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V High Voltage Synchronous Rectifier Low Miller Charge Direct Injection / Dies

Otros transistores... FDB2614 , STU409DH , FDB2710 , FDB28N30TM , FDB33N25 , FDB3502 , FDB3632 , STU40N01 , 4N60 , STU410S , FDB3672F085 , STU411D , FDB3682 , STU412S , FDB3860 , STU413S , FDB390N15A .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: