TPU70R360M Todos los transistores

 

TPU70R360M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPU70R360M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de TPU70R360M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TPU70R360M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  cn wuxi unigroup
 tpa70r360m tpd70r360m tpp70r360m tpu70r360m.pdf pdf_icon

TPU70R360M

TPA70R360M, TPD70R360M, TPP70R360M, TPU70R360M Wuxi Unigroup Microelectronics Company 700V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device T

 8.1. Size:768K  cn wuxi unigroup
 tpa70r450c tpb70r450c tpc70r450c tpd70r450c tpp70r450c tpu70r450c.pdf pdf_icon

TPU70R360M

TPA70R450C, TPB70R450C, TPC70R450C, TPD70R450C, TPP70R450C, TPU70R450C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 700V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.2. Size:1095K  cn wuxi unigroup
 tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdf pdf_icon

TPU70R360M

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio

 8.3. Size:753K  cn wuxi unigroup
 tpp70r450c tpa70r450c tpu70r450c tpd70r450c tpc70r450c tpb70r450c.pdf pdf_icon

TPU70R360M

TPP70R450C, TPA70R450C, TPU70R450C, TPD70R450C, TPC70R450C, TPB70R450C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 700V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TPA70R190C , TPC70R190C , TPP70R190C , TPV70R190C , TPA70R260M , TPA70R360M , TPD70R360M , TPP70R360M , RU6888R , TPA70R450C , TPB70R450C , TPC70R450C , TPD70R450C , TPP70R450C , TPU70R450C , TPA70R600M , TPB70R600M .

History: IPD60R145CFD7 | AO4803A | MSU2N70 | PV6A4BA | BUK9K8R7-40E

 

 
Back to Top

 


 
.