TPP50R400C Todos los transistores

 

TPP50R400C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPP50R400C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TPP50R400C Datasheet (PDF)

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TPP50R400C

TPP50R400C, TPA50R400C, TPU50R400C, TPD50R400C, TPC50R400C,TPB50R400C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 500V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.1. Size:739K  cn wuxi unigroup
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TPP50R400C

TPP50R250C, TPA50R250C, TPU50R250C, TPD50R250C, TPC50R250C, TPB50R250C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 500V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

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History: AOB254L | AM20P03-60D | BL25N50-F | CS75N08 | NCV8401ADTRKG | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
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