TPD50R400C Todos los transistores

 

TPD50R400C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPD50R400C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TPD50R400C Datasheet (PDF)

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TPD50R400C

TPP50R400C, TPA50R400C, TPU50R400C, TPD50R400C, TPC50R400C,TPB50R400C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 500V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

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TPD50R400C

TPD50R3K8DWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd500V Super-junction Power MOSFETDescription500V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness

 8.2. Size:739K  cn wuxi unigroup
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TPD50R400C

TPP50R250C, TPA50R250C, TPU50R250C, TPD50R250C, TPC50R250C, TPB50R250C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 500V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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