FDB8441F085 Todos los transistores

 

FDB8441F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB8441F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FDB8441F085 Datasheet (PDF)

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FDB8441F085

August 2006FDB8441N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.5m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 1.9m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter /

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FDB8441F085

May 2010FDB8441_F085N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.5m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 1.9m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter

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FDB8441F085

August 2006FDB8441N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.5m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 1.9m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter /

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History: JMSH2010BC | FDMS7660AS | STM6970

 

 
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