TTB145N08A Todos los transistores

 

TTB145N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTB145N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 145 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 416 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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TTB145N08A Datasheet (PDF)

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TTB145N08A

TTB145N08A,TTP145N08A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 80V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits

 6.1. Size:826K  cn wuxi unigroup
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TTB145N08A

TTB145N06A,TTP145N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 145A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTB115N08AA , TTP115N08AA , TTB118N08A , TTP118N08A , TTB135N68A , TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , K4145 , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , TTP85N08AA .

History: 2SK3987-01SJ | TPA70R450C

 

 
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