TTB145N08A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTB145N08A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 145 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 416 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm

Encapsulados: TO263

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TTB145N08A datasheet

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TTB145N08A

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TTB145N08A

TTB145N06A,TTP145N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 145A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTB115N08AA, TTP115N08AA, TTB118N08A, TTP118N08A, TTB135N68A, TTP135N68A, TTB145N06A, TTP145N06A, 2N7002, TTP145N08A, TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, TTP85N08AA