TTB145N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTB145N08A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 272.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 82 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 145 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 160 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 416 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0059 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTB145N08A
TTB145N08A Datasheet (PDF)
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TTB145N08A,TTP145N08A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 80V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits
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TTB145N06A,TTP145N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 145A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
