TTP95N68A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTP95N68A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 274 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de TTP95N68A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TTP95N68A datasheet

 ..1. Size:527K  cn wuxi unigroup
 ttb95n68a ttd95n68a ttp95n68a.pdf pdf_icon

TTP95N68A

TTB95N68A,TTD95N68A,TTP95N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTD30P10AT, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, TTP85N08AA, TTB95N68A, TTD95N68A, 13N50, TTD100N04AT, TTP100N04AT, TTD120N03AT, TTP120N03AT, TTD120N04AT, TTP120N04AT, TTD135N68A, TTD160N03GT