TTX2302A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTX2302A
Código: 2302A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.89 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.95 V
Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
Tiempo de subida (tr): 2.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTX2302A
TTX2302A Datasheet (PDF)
ttx2302a.pdf
TTX2302A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
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TTX2305A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS -20V Trench Power technology ID (at VGS =-10V) -4.5A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS =-10V)
ttx2301a.pdf
TTX2301A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -20V Low RDS(ON) ID (at VGS =-4.5V) -2.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)
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