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VBC6N2014 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBC6N2014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBC6N2014

 

Principales características: VBC6N2014

 ..1. Size:376K  cn vbsemi
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VBC6N2014

VBC6N2014 www.VBsemi.com Dual N-Channel MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.013 at VGS = 4.5 V Available 7.6 20 RoHS* 0.020 at VGS = 2.5 V 6.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

 7.1. Size:405K  cn vbsemi
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VBC6N2014

VBC6N2022 www.VBsemi.com Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.022 at VGS = 4.5 V Available 6.6 25 RoHS* 0.032 at VGS = 2.5 V 5.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.1. Size:491K  cn vbsemi
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VBC6N2014

VBC6N3010 www.VBsemi.com Dual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = 10 V Available 8.6 30 RoHS* 0.019 at VGS = 4.5 V 7.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RA

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