VBE1302 Todos los transistores

 

VBE1302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBE1302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de VBE1302 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBE1302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  cn vbsemi
 vbe1302.pdf pdf_icon

VBE1302

VBE1302www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0023 at VGS = 10 V 12030 82 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA

 8.1. Size:379K  cn vbsemi
 vbe1303.pdf pdf_icon

VBE1302

VBE1303www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSO

 8.2. Size:507K  cn vbsemi
 vbe1307.pdf pdf_icon

VBE1302

VBE1307www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLU

 9.1. Size:1079K  cn vbsemi
 vbe1310.pdf pdf_icon

VBE1302

VBE1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 5030 25 nC0.009 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOL

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VBE1105 , VBE1106N , VBE1158N , VBE1201K , VBE1202 , VBE1203M , VBE1206 , VBE1206N , IRF840 , VBE1303 , VBE1307 , VBE1310 , VBE1405 , VBE1410 , VBE1606 , VBE1615 , VBE1638 .

History: SM360R65CT2TL

 

 
Back to Top

 


 
.