VBE1410 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBE1410  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 typ Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de VBE1410 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBE1410 datasheet

 ..1. Size:422K  cn vbsemi
 vbe1410.pdf pdf_icon

VBE1410

VBE1410 www.VBsemi.com N-Channel 4 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.013 at VGS = 10 V 55 40 42 nC 0.018 at VGS = 4.5 V 45 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G D G S S Top View N-Channel MOSFET ABS

 9.1. Size:723K  cn vbsemi
 vbe1405.pdf pdf_icon

VBE1410

VBE1405 www.VBsemi.com N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 0.0050 at VGS = 10 V 85 COMPLIANT 40 80 nC 0.0065 at VGS = 4.5 V 70 APPLICATIONS Synchronous Rectification Power Supplies D TO-252 G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RA

Otros transistores... VBE1203M, VBE1206, VBE1206N, VBE1302, VBE1303, VBE1307, VBE1310, VBE1405, 50N06, VBE1606, VBE1615, VBE1638, VBE165R02, VBE165R04, VBE1695, VBE1806, VBE2102M