VBE2317 Todos los transistores

 

VBE2317 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBE2317
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBE2317 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  cn vbsemi
vbe2317.pdf pdf_icon

VBE2317

VBE2317www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 35APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSTO-252 GDG D S P-Channel MOSFETAB

 8.1. Size:466K  cn vbsemi
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VBE2317

VBE2311www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.011 at VGS = - 10 V 50RoHS*- 30COMPLIANT0.013 at VGS = - 4.5 V 45STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGat

 9.1. Size:575K  cn vbsemi
vbe2338.pdf pdf_icon

VBE2317

VBE2338www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.046 at VGS = - 4.5 V - 21APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-Ch

 9.2. Size:565K  cn vbsemi
vbe2305.pdf pdf_icon

VBE2317

VBE2305www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.005 at VGS = - 10 V -100RoHS*- 30COMPLIANT0.007 at VGS = - 4.5 V -90STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGate

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS15N70F | IRFZ24L | 2SK957-01 | 2SK1601 | NTD3055-094-1G

 

 
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