VBFB165R02 Todos los transistores

 

VBFB165R02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBFB165R02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de VBFB165R02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBFB165R02 PDF Specs

 ..1. Size:1415K  cn vbsemi
vbfb165r02.pdf pdf_icon

VBFB165R02

VBFB165R02 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 5 RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5.... See More ⇒

 5.1. Size:932K  cn vbsemi
vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdf pdf_icon

VBFB165R02

VBM165R07 / VBMB165R07 VBE165R07 / VBFB165R07 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r... See More ⇒

 5.3. Size:1223K  cn vbsemi
vbfb165r04.pdf pdf_icon

VBFB165R02

VBFB165R04 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Requirement RoHS RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 COMPLIANT Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19 Comp... See More ⇒

Otros transistores... VBFB1203M , VBFB1208N , VBFB1303 , VBFB1311 , VBFB1405 , VBFB1410 , VBFB1615 , VBFB1630 , AON7410 , VBFB165R04 , VBFB2317 , VBFB2412 , VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 .

History: VBFB1630

 

 
Back to Top

 


History: VBFB1630

VBFB165R02  VBFB165R02  VBFB165R02 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP40P05 | AP40P04Q | AP40P04K | AP40P04G | AP40N100LK | AP40N100K | AP40N06K | AP4013S | AP4008SD | AP4688S | AP4606 | AP4580 | AP4435C | AP4410 | AP4409S | AP4407C

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor

 


 
.