VBFB2658 Todos los transistores

 

VBFB2658 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBFB2658
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBFB2658 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  cn vbsemi
 vbfb2658.pdf pdf_icon

VBFB2658

VBFB2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bri

 8.1. Size:862K  cn vbsemi
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VBFB2658

VBFB2610Nwww.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.066 at VGS = - 10 V - 20APPLICATIONS- 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 180.080 Load SwitchTO-251SGDP-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)P

 9.1. Size:623K  cn vbsemi
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VBFB2658

VBFB2412www.VBsemi.comP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.010 at VGS = - 10 V 55RoHS*- 40COMPLIANT0.014 at VGS = - 4.5 V 54TO-251SGG D SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit Unit

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VBFB2658

VBFB2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.215 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET- 100 110.234 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch DC/

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History: 2N5114UB | STP8NS25FP | AP4407GS-HF | KP746B1 | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | AFN4210

 

 
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