VBM1105 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBM1105
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 370 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 76 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2025 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBM1105

VBM1105 Datasheet (PDF)

..1. Size:786K cn vbsemi
vbm1105.pdf

VBM1105www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 120100 72 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 7.5 V 120 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-220ABGSSSDGN

8.1. Size:469K cn vbsemi
vbm1102n.pdf

VBM1102Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.018 at VGS = 10 V10070aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE M

8.2. Size:1080K cn vbsemi
vbm1101n vbl1101n.pdf

VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch

8.3. Size:946K cn vbsemi
vbm1101m.pdf

VBM1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.092 at VGS = 10 V10018COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MA

8.4. Size:1417K cn vbsemi
vbm1104n.pdf

VBM1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.032 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDTO-220AB GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: