VBE165R07S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBE165R07S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.61 typ Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de VBE165R07S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBE165R07S datasheet

 ..1. Size:921K  cn vbsemi
 vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdf pdf_icon

VBE165R07S

 5.1. Size:932K  cn vbsemi
 vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdf pdf_icon

VBE165R07S

VBM165R07 / VBMB165R07 VBE165R07 / VBFB165R07 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r

 6.1. Size:984K  cn vbsemi
 vbe165r04.pdf pdf_icon

VBE165R07S

VBE165R04 www.VBsemi.com Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19 Compliant to RoH

 6.2. Size:1082K  cn vbsemi
 vbe165r02.pdf pdf_icon

VBE165R07S

VBE165R02 www.VBsemi.com N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.8 RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 15 Ruggedness Qgs (nC) 3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 6 Compliant to Ro

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VBM165R02, VBM165R04, VBM165R07, VBMB165R07, VBE165R07, VBFB165R07, VBM165R07S, VBMB165R07S, 8205A, VBFB165R07S, VBM165R10, VBMB165R10, VBE165R10, VBFB165R10, VBL165R10, VBM165R12, VBMB165R12