VBM18R15S Todos los transistores

 

VBM18R15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBM18R15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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VBM18R15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  cn vbsemi
 vbm18r15s vbmb18r15s vbp18r15s.pdf pdf_icon

VBM18R15S

VBM18R15S / VBMB18R15S / VBP18R15Swww.VBsemi.comN-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 800Available Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesAvailableQg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)

 9.1. Size:1267K  cn vbsemi
 vbm1806.pdf pdf_icon

VBM18R15S

VBM1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065 at VGS = 10 V 10080 0.0090 at VGS = 6.0 V 90 17.1 nC0.0140 at VGS = 4.5 V 70TO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symb

 9.2. Size:1652K  cn vbsemi
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VBM18R15S

VBM1808www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Backligh

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