VBM18R15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBM18R15S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 typ Ohm

Encapsulados: TO220AB

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VBM18R15S datasheet

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VBM18R15S

VBM18R15S / VBMB18R15S / VBP18R15S www.VBsemi.com N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 800 Available Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction losses Available Qg max. (nC) 96 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC)

 9.1. Size:1267K  cn vbsemi
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VBM18R15S

VBM1806 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0065 at VGS = 10 V 100 80 0.0090 at VGS = 6.0 V 90 17.1 nC 0.0140 at VGS = 4.5 V 70 TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symb

 9.2. Size:1652K  cn vbsemi
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VBM18R15S

VBM1808 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET a VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0065at VGS = 10 V 80 80 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nC APPLICATIONS 0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side Switching TO-220AB Synchronous Rectification D DC/AC Inverters LED Backligh

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