VBM2610N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBM2610N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBM2610N

VBM2610N Datasheet (PDF)

..1. Size:321K cn vbsemi
vbm2610n.pdf

VBM2610Nwww.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () TrenchFET Power MOSFETID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.062 at VGS = - 10 V - 20- 60 12.50.074 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load SwitchSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter

9.1. Size:480K cn vbsemi
vbm2658.pdf

VBM2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0600 at VGS = - 10 V- 30- 60 67 100 % Rg and UIS Tested0.0850 at VGS = - 4.5 V - 24 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSTO-220AB Power Swi

9.2. Size:530K cn vbsemi
vbm2625.pdf

VBM2625www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.019 at VGS = - 10 V - 53APPLICATIONS- 60 38 nC0.026 at VGS = - 4.5 V - 42 Load SwitchTO-220ABSGDG D SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Par

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Liste

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