STU309D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU309D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4L
Búsqueda de reemplazo de STU309D MOSFET
STU309D datasheet
stu309d.pdf
S TU309D S amHop Microelectronics C orp. Nov 22 2006 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 23 @ VG S = 10V 35 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 35 @ VG S = 4.5V 55 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 S 1 N-ch S
stu309dh.pdf
Green Product S TU309DH S amHop Microelectronics C orp. Apr 20 2007 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 22 @ VG S = 10V 34 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 34 @ VG S = 4.5V 54 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1
stu30n15 std30n15.pdf
Green Product STU/D30N15 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 22A 150V 62 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES TO-252AA (D-PAK) TO-251 (I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATING
stu30n01 std30n01.pdf
STU30N01 Green Product STD30N01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 30A 30 @ VGS=10V 100V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK A
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History: STU30L01 | FDC365P
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