VBMB2610N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBMB2610N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBMB2610N

VBMB2610N Datasheet (PDF)

..1. Size:483K cn vbsemi
vbmb2610n.pdf

VBMB2610Nwww.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () TrenchFET Power MOSFETID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.063 at VGS = - 10 V - 25- 60 250.075 at VGS = - 4.5 V APPLICATIONS- 20 Load SwitchSTO-220 FULLPAKGDSDGP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParamete

8.1. Size:652K cn vbsemi
vbmb2658.pdf

VBMB2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.050 at VGS = - 10 V- 30- 60 67 100 % Rg and UIS Tested0.060 at VGS = - 4.5 V - 24 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220 FULLPAK SGS DDGP-Channel

9.1. Size:640K cn vbsemi
vbmb2102m.pdf

VBMB2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.220 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.230 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch D

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: