VBMB2658 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBMB2658

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.050 typ Ohm

Encapsulados: TO220FP

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VBMB2658 datasheet

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VBMB2658

VBMB2658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.050 at VGS = - 10 V - 30 - 60 67 100 % Rg and UIS Tested 0.060 at VGS = - 4.5 V - 24 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-220 FULLPAK S G S D D G P-Channel

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VBMB2658

VBMB2610N www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) TrenchFET Power MOSFET ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.063 at VGS = - 10 V - 25 - 60 25 0.075 at VGS = - 4.5 V APPLICATIONS - 20 Load Switch S TO-220 FULLPAK G D S D G P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Paramete

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VBMB2658

VBMB2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.220 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET - 100 11.7 0.230 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch D

Otros transistores... VBMB165R04, VBMB165R18, VBMB165R20, VBMB16R08, VBMB17R07, VBMB185R05, VBMB2102M, VBMB2610N, STP65NF06, VBNC1303, VBL1303, VBP1104N, VBP15R50S, VBP1606, VBQA1102N, VBQA1302, VBQA1303