VBQA1308 Todos los transistores

 

VBQA1308 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBQA1308
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de VBQA1308 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBQA1308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:947K  cn vbsemi
vbqa1308.pdf pdf_icon

VBQA1308

VBQA1308www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S

 7.1. Size:476K  cn vbsemi
vbqa1302.pdf pdf_icon

VBQA1308

VBQA1302www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 100APPLICATIONS30 82 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 90 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOLUTE MA

 7.2. Size:523K  cn vbsemi
vbqa1303.pdf pdf_icon

VBQA1308

VBQA1303www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.003 at VGS = 10 V 80APPLICATIONS30 71 nC0.005 at VGS = 4.5 V 70 Notebook PC Core VRM/POLDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABS

 9.1. Size:1042K  cn vbsemi
vbqa1102n.pdf pdf_icon

VBQA1308

VBQA1102Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.017 at VGS = 10 V10030COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View1827G364

Otros transistores... VBNC1303 , VBL1303 , VBP1104N , VBP15R50S , VBP1606 , VBQA1102N , VBQA1302 , VBQA1303 , EMB04N03H , VBQA1402 , VBQA1405 , VBQA1606 , VBQA1638 , VBQA2305 , VBQA2309 , VBQA3316 , VBQF1206 .

History: NCEP4075AGU | AP6N1R7CDT | VP3203N3 | GP2M007A065XG | SPI21N50C3 | 5N65KL-TM3-T | AP4501AGEM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.