VBZC8205B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZC8205B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.020 typ Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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VBZC8205B datasheet

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VBZC8205B

VBZC8205B www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.020 at VGS = 4.5 V Available 4.8 20 RoHS* 0.032 at VGS = 2.5 V 3.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RA

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VBZC8205B

VBZC8205A www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.025 at VGS = 4.5 V Available 4.5 20 RoHS* 0.032 at VGS = 2.5 V 3.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RA

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VBZC8205B

VBZC8810 www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.018 at VGS = 4.5 V Available 5.0 20 RoHS* 0.030 at VGS = 2.5 V 3.6 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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