VBZE06N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZE06N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de VBZE06N02 MOSFET
VBZE06N02 Datasheet (PDF)
vbze06n02.pdf

VBZE06N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 10020200.008 @ VGS = 2.5 V 90DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter
vbze06n03.pdf

VBZE06N03www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) RDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.005 @ VGS = 4.5 V 11020200.008 @ VGS = 2.5 V90DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramete
vbze04n03.pdf

VBZE04N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003 at VGS = 10 V 14030 72 nC0.006 at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA
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History: KUK7108-40AIE | DMN2100UDM | SPN10T10 | NCEP40T13AGU | CSD17577Q3A | SLD5N65S | SPA11N60C3
History: KUK7108-40AIE | DMN2100UDM | SPN10T10 | NCEP40T13AGU | CSD17577Q3A | SLD5N65S | SPA11N60C3



Liste
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