VBZE10N20 Todos los transistores

 

VBZE10N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZE10N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.245(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBZE10N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1030K  cn vbsemi
 vbze10n20.pdf pdf_icon

VBZE10N20

VBZE10N20www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.245 at VGS = 10 V10 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.1. Size:1730K  cn vbsemi
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VBZE10N20

VBZE100N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0025 at VGS = 4.5 V 16020 85 nC0.006at VGS = 2.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET

 8.2. Size:1105K  cn vbsemi
 vbze100p03.pdf pdf_icon

VBZE10N20

VBZE100P03www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.005 at VGS = - 10 V -110RoHS*- 30COMPLIANT0.007 at VGS = - 4.5 V -90STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit Unit

 8.3. Size:1276K  cn vbsemi
 vbze100n03.pdf pdf_icon

VBZE10N20

VBZE100N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0092at VGS = 10 V 6030 31 nC0.011 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABS

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History: SIA907EDJT | VS-FC220SA20 | IPA60R180P7 | BSC080P03LSG | 18N65 | STWA57N65M5

 

 
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