VBZE12N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBZE12N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 525(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZE12N03

VBZE12N03 Datasheet (PDF)

..1. Size:2307K cn vbsemi
vbze12n03.pdf

VBZE12N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.014at VGS = 10 V 4030 28nC0.020at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLU

6.1. Size:1633K cn vbsemi
vbze12n06.pdf

VBZE12N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.095at VGS = 10 V 16 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.110 at VGS = 4.5 V 13TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor Dr

7.1. Size:1444K cn vbsemi
vbze12n10.pdf

VBZE12N10www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature100at VGS = 10 V0.090 17 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

8.1. Size:834K cn vbsemi
vbze12p10.pdf

VBZE12P10www.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.180 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFET- 100 110.200 at VGS = - 4.5 V - 6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch DC/DC Con

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: