VBZE30N06 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

VBZE30N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZE30N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.8 max nC

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm

Encapsulados: TO252

Búsqueda de reemplazo de VBZE30N06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

VBZE30N06 datasheet

..1. Size:2059K cn vbsemi
vbze30n06.pdf pdf_icon

VBZE30N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 22 0.073at VGS = 10 V Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.097 at VGS = 4.5 V 16 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor D

6.1. Size:2034K cn vbsemi
vbze30n02.pdf pdf_icon

VBZE30N02 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.004 at VGS = 4.5 V 130 20 90 nC 0.006at VGS = 2.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET A

6.2. Size:2693K cn vbsemi
vbze30n03.pdf pdf_icon

VBZE30N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.015at VGS = 10 V 35 30 28nC 0.025at VGS = 4.5 V 30 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLU

7.1. Size:1869K cn vbsemi
vbze30n10.pdf pdf_icon

VBZE30N10 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 100 0.030 at VGS = 10 V 35 RoHS* Low Thermal Resistance Package COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parame

Otros transistores... VBZE20N10, VBZE20N20, VBZE20P03, VBZE20P06, VBZE2810, VBZE2N60, VBZE30N02, VBZE30N03, P60NF06, VBZE30N10, VBZE40N03, VBZE40N06, VBZE40N10, VBZE40P03, VBZE40P06, VBZE40P10, VBZE4204

VBZE30N06 Todos los transistores