VBZE80N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZE80N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 230 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 125(max) nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 555(max) pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZE80N06
VBZE80N06 Datasheet (PDF)
vbze80n06.pdf
VBZE80N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.006 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.008100ID (A)SingleConfigurationDTO-252GG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25
vbze80n03.pdf
VBZE80N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007at VGS = 10 V 8533 nC300.011 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSO
vbze80n10.pdf
VBZE80N10www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % UIS tested0.055 at VGS = 10 V 250.057 at VGS = 4.5 V 100 25 21nC0.070 at VGS = 2.5 V 18APPLICATIONS Primary side switchDTO-252GG D SSN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unl
vbze80p03.pdf
VBZE80P03www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.009 at VGS = - 10 V - 65RoHS*- 300.012at VGS = - 4.5 V - 50 COMPLIANTSTO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGat
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