VBZE80P03 Todos los transistores

 

VBZE80P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZE80P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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VBZE80P03 PDF Specs

 ..1. Size:1008K  cn vbsemi
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VBZE80P03

VBZE80P03 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.009 at VGS = - 10 V - 65 RoHS* - 30 0.012at VGS = - 4.5 V - 50 COMPLIANT S TO-252 G D G S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Gat... See More ⇒

 8.1. Size:1381K  cn vbsemi
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VBZE80P03

VBZE80N10 www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % UIS tested 0.055 at VGS = 10 V 25 0.057 at VGS = 4.5 V 100 25 21nC 0.070 at VGS = 2.5 V 18 APPLICATIONS Primary side switch D TO-252 G G D S S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unl... See More ⇒

 8.2. Size:1328K  cn vbsemi
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VBZE80P03

VBZE80N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.006 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.008 100 ID (A) Single Configuration D TO-252 G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25... See More ⇒

 8.3. Size:2019K  cn vbsemi
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VBZE80P03

VBZE80N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007at VGS = 10 V 85 33 nC 30 0.011 at VGS = 4.5 V 50 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSO... See More ⇒

Otros transistores... VBZE60N02 , VBZE60N03 , VBZE70N03 , VBZE75N03 , VBZE7843 , VBZE80N03 , VBZE80N06 , VBZE80N10 , IRF740 , VBZE90N03 , VBZE9N03 , VBZFB06N02 , VBZFB10N20 , VBZFB12P10 , VBZFB15N10 , VBZFB20N06 , VBZFB20P06 .

 

 
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