VBZL150N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZL150N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
VBZL150N03 Datasheet (PDF)
vbzl150n03.pdf

VBZL150N03www.VBsemi.comN-Channel 150V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS 150 175 C Junction TemperatureV New Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 35 m PWM OptimizedID 55A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Primary Side SwitchDD2PAK (TO-263)GDGSSN-
vbzl120n08.pdf

VBZL120N08www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) New Package with Low Thermal Resistance100 0.005 at VGS = 10 V 110a 100 % Rg TestedDD2PAK (TO-263)GD SGSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitDrain-Source Vo
vbzl100n04.pdf

VBZL100N04www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS 100V 175 C Junction TemperatureRoHSRDS(on) VGS = 10 V 100 mCOMPLIANT Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 4.5 V 106 m 100 % Rg TestedID 20AConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK (TO-263)GD
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: MPSH60M160 | OSG80R900FF | AP9563GK | HM4612 | P9515BD | IRFSL31N20DP | AOTF7N70
History: MPSH60M160 | OSG80R900FF | AP9563GK | HM4612 | P9515BD | IRFSL31N20DP | AOTF7N70



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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