VBZM40P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBZM40P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 76 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZM40P06

VBZM40P06 Datasheet (PDF)

..1. Size:895K cn vbsemi
vbzm40p06.pdf

VBZM40P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS -60 V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 19m 100 % UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V m26APPLICATIONSID -50A Load SwitchConfiguration SingleTO-220ABSGDG D SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramete

8.1. Size:813K cn vbsemi
vbzm40n03.pdf

VBZM40N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V)30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.003 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.004ID (A) 120APPLICATIONSConfiguration Single OR-ingTO-220AB ServerD DC/DCGSG D S N-Channel MOSFET

8.2. Size:1179K cn vbsemi
vbzm40n10.pdf

VBZM40N10www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) 100 Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005a 100 % Rg and UIS testedID ( 120(A) Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seeDTO-220ABGSSSDGN-Channel MOSFET

9.1. Size:744K cn vbsemi
vbzm4n20.pdf

VBZM4N20www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.110 at VGS = 10 V2 0 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220ABAPPLICATIONS Primary Side SwitchDDRAIN connected to TAB GG D S Top ViewSN-Ch

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Liste

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