VBZM60N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZM60N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 typ Ohm
Encapsulados: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de VBZM60N06 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
VBZM60N06 datasheet
vbzm60n06.pdf
VBZM60N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS 60 V TrenchFET Power MOSFET RDS(on) VGS = 10 V 5 m Material categorization ID 120 A Configuration Single TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VGS Gate-So
vbzm60p03.pdf
VBZM60P03 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS -30 V TrenchFET Power MOSFET RDS(on) VGS = 10 V 8 m 100 % Rg Tested RoHS RDS(on) VGS = 4.5 V 11 m COMPLIANT 100 % UIS Tested ID -70 A APPLICATIONS Configuration Single Load Switch Notebook Adaptor Switch TO-220AB S G G D S D Top View P-C
vbzm630.pdf
VBZM630 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.270 at VGS =10V 10 200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT
vbzm630y.pdf
VBZM630Y www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.058at VGS =10V 35 200 COMPLIANT New Low Thermal Resistance Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-220AB Industrial D G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RA
Otros transistores... VBZM30N06, VBZM3710, VBZM40N03, VBZM40N10, VBZM40P06, VBZM4N20, VBZM50N03, VBZM50N06, IRFP450, VBZM60P03, VBZM630, VBZM630Y, VBZM75N03, VBZM75N80, VBZM75NF75, VBZM80N03, VBZM80N04
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461
