VBZM60N06 Todos los transistores

 

VBZM60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZM60N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 47 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 570 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

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VBZM60N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:846K  cn vbsemi
vbzm60n06.pdf

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VBZM60N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS 60V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 5 m Material categorization:ID 120AConfiguration SingleTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-So

 8.1. Size:936K  cn vbsemi
vbzm60p03.pdf

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VBZM60P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS -30V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 8m 100 % Rg TestedRoHSRDS(on) VGS = 4.5 V 11mCOMPLIANT 100 % UIS TestedID -70AAPPLICATIONSConfiguration Single Load Switch Notebook Adaptor SwitchTO-220AB S G G D SD Top ViewP-C

 9.1. Size:825K  cn vbsemi
vbzm630.pdf

VBZM60N06
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VBZM630www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS =10V10200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.2. Size:931K  cn vbsemi
vbzm630y.pdf

VBZM60N06
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VBZM630Ywww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.058at VGS =10V35200 COMPLIANT New Low Thermal Resistance Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDGG D SSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

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