VBZQA50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBZQA50P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3EP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZQA50P03

VBZQA50P03 Datasheet (PDF)

..1. Size:1919K cn vbsemi
vbzqa50p03.pdf

VBZQA50P03www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES-30 V Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDSDefinitionRDS(on),typ VGS=10V 11 m TrenchFET Power MOSFET18RDS(on),typ VGS=4.5V m Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 1.07 mmID -45AProfile 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

7.1. Size:1469K cn vbsemi
vbzqa50n03.pdf

VBZQA50N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 60APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S

9.1. Size:1164K cn vbsemi
vbzqa80n03.pdf

VBZQA80N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.003 at VGS = 10 V 120APPLICATIONS30 71 nC0.005 at VGS = 4.5 V 90 Notebook PC Core VRM/POLDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFET

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vbzqa120n03.pdf

VBZQA120N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 160APPLICATIONS3018 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 130 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOLU

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: