VBZQA80N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZQA80N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1025(typ) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZQA80N03
VBZQA80N03 Datasheet (PDF)
vbzqa80n03.pdf
VBZQA80N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.003 at VGS = 10 V 120APPLICATIONS30 71 nC0.005 at VGS = 4.5 V 90 Notebook PC Core VRM/POLDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFET
vbzqa50n03.pdf
VBZQA50N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 60APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S
vbzqa50p03.pdf
VBZQA50P03www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES-30 V Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDSDefinitionRDS(on),typ VGS=10V 11 m TrenchFET Power MOSFET18RDS(on),typ VGS=4.5V m Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 1.07 mmID -45AProfile 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
vbzqa120n03.pdf
VBZQA120N03www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 160APPLICATIONS3018 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 130 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOLU
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