VBZQA80N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZQA80N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1025 typ pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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VBZQA80N03 datasheet

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VBZQA80N03

VBZQA80N03 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.003 at VGS = 10 V 120 APPLICATIONS 30 71 nC 0.005 at VGS = 4.5 V 90 Notebook PC Core VRM/POL D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 3 6 G 4 5 PIN1 S N-Channel MOSFET

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VBZQA80N03

VBZQA50N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 60 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S

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VBZQA80N03

VBZQA50P03 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES -30 V Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS Definition RDS(on),typ VGS=10V 11 m TrenchFET Power MOSFET 18 RDS(on),typ VGS=4.5V m Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm ID -45 A Profile 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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VBZQA80N03

VBZQA120N03 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0018 at VGS = 10 V 160 APPLICATIONS 30 18 nC 0.0025 at VGS = 4.5 V 130 OR-ing Server D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 3 6 G 4 5 PIN1 S N-Channel MOSFET ABSOLU

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