STU16L01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU16L01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU16L01

STU16L01 Datasheet (PDF)

..1. Size:124K samhop
stu16l01.pdf

GreenProductSTU/D16L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable. 98 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.100V 13A 118 @ VGS=4.5V GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

9.1. Size:1053K st
stp16n65m5 stu16n65m5 stw16n65m5 sti16n65m5 stf16n65m5.pdf

STF16N65M5, STI16N65M5STP16N65M5,STU16N65M5,STW16N65M5N-channel 650 V, 0.240 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin TO-220FP, TO-220, IPAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max33 322 21STF16N65M51 1TO-220STI16N65M5 TO-247 TO-220FPSTP16N65M5 710 V

9.2. Size:1099K st
stf16n65m5 sti16n65m5 stp16n65m5 stu16n65m5 stw16n65m5.pdf

STF16N65M5, STI16N65M5STP16N65M5,STU16N65M5,STW16N65M5N-channel 650 V, 0.230 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247FeaturesTABTABVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max32 3 3211 2STF16N65M51TO-220FPTO-220STI16N65M5 IPAKSTP16N65M5 710 V

9.3. Size:260K st
stu16nc50.pdf

STU16NC50N-CHANNEL 500V - 0.22 - 16A Max220PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU16NC50 500V

9.4. Size:102K st
stu16nb50.pdf

STU16NB50N-CHANNEL 500V - 0.28 - 15.6A-Max220PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTU16NB50 500 V

9.5. Size:439K st
stp16n60m2 stu16n60m2.pdf

STP16N60M2, STU16N60M2 N-channel 600 V, 0.28 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP16N60M2 600 V 0.32 12 A STU16N60M2 3 2TAB1TO-220 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested 32IPAK

9.6. Size:818K st
stp16n65m2 stu16n65m2.pdf

STP16N65M2, STU16N65M2N-channel 650 V, 0.32 typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDTABSTP16N65M2 710 V 0.36 11 ASTU16N65M2 710 V 0.36 11 A3 Extremely low gate charge23 Excellent output capacitance (Coss) profile 121 100% avalanche tested

9.7. Size:994K st
stp16n65m5 stu16n65m5 stw16n65m5 sti16n65m5 stf16n65m5 2.pdf

STF16N65M5, STI16N65M5STP16N65M5,STU16N65M5,STW16N65M5N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin TO-220FP, TO-220, IPAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max33 322 21STF16N65M51 1TO-220STI16N65M5 TO-247 TO-220FPSTP16N65M5 710 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: