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FDC642PF085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDC642PF085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT6
 

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FDC642PF085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:241K  fairchild semi
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FDC642PF085

June 2009FDC642P_F085P-Channel PowerTrench MOSFET-20V, -4A, 100m Applications Features Load switch Typ rDS(on) = 52.5m at VGS = -4.5V, ID = -4A Battery protection Typ rDS(on) = 75.3m at VGS = -2.5V, ID = -3.2A Power management Fast switching speed Low gate charge(6.9nC typical) High performance trench technology for extremely low rDS(on) SuperSOTTM-6

 7.2. Size:266K  fairchild semi
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January 2010FDC642PSingle P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET -20 V, -4.0 A, 65 mFeatures General Description Max rDS(on) = 65 m at VGS = -4.5 V, ID = -4.0 AThis P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchilds advanced PowerTrench process that has been Max rDS(on) = 100 m at VGS = -2.5 V, ID = -3.2 Aespecially tailored to minimize on-state

 7.3. Size:1310K  onsemi
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FDC642PF085

MOSFET P-Channel,POWERTRENCH-20 V, -4 A, 100 mWFDC642P-F085,FDC642P-F085Pwww.onsemi.comFeatures Typ RDS(on) = 52.5 mW at VGS = -4.5 V, ID = -4 A Typ RDS(on) = 75.3 mW at VGS = -2.5 V, ID = -3.2 A Fast Switching Speed Low Gate Charge (6.9 nC Typical)TSOT23 6-Lead High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)CASE 419BL SUPERSOTt-6 P

 7.4. Size:1112K  onsemi
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History: STP3N90

 

 
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