NCE65T1K2K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCE65T1K2K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE65T1K2K

NCE65T1K2K Datasheet (PDF)

..1. Size:476K ncepower
nce65t1k2k.pdf

NCE65T1K2K,NCE65T1K2I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 950 m DS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 4 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industria

..2. Size:476K ncepower
nce65t1k2k nce65t1k2i.pdf

..3. Size:476K ncepower
nce65t1k2i nce65t1k2k.pdf

5.1. Size:599K ncepower
nce65t1k2 nce65t1k2d nce65t1k2f.pdf

NCE65T1K2,NCE65T1K2D,NCE65T1K2F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 950 m DS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 4 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and

5.2. Size:476K ncepower
nce65t1k2i.pdf