FDD13AN06A0F085 Todos los transistores

 

FDD13AN06A0F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD13AN06A0F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDD13AN06A0F085 Datasheet (PDF)

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FDD13AN06A0F085

July 2003FDD13AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co

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FDD13AN06A0F085

September 2010FDD13AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

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FDD13AN06A0F085

FDD13AN06A0-F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mApplicationsFeatures Motor / Body Load Control rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A ABS Systems Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Injection Systems Low QRR Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Puls

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History: MDF13N50GTH | MTN50N06E3 | SSFT4004 | G3205 | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF

 

 
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