FDD16AN08A0F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDD16AN08A0F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 135 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de la puerta (Qg): 47 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD16AN08A0F085
FDD16AN08A0F085 Datasheet (PDF)
fdd16an08a0.pdf
May 2002FDD16AN08A0N-Channel UltraFET Trench MOSFET75V, 50A, 16mFeatures Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Sing
fdd16an08a0 f085 fdd16an08 f085.pdf
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fdd16an08a0 nf054.pdf
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