FDD2572_F085 Todos los transistores

 

FDD2572_F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD2572_F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 135 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 29 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 26 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.054 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252 DPAK

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FDD2572_F085 Datasheet (PDF)

0.1. fdd2572 f085.pdf Size:572K _fairchild_semi

FDD2572_F085
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SNovember 2008FDD2572_F085N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 29A, 54mFeatures Applications rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID = 9A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous

5.1. fdd2572 fdu2572.pdf Size:247K _fairchild_semi

FDD2572_F085
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September 2002FDD2572 / FDU2572N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 29A, 54mFeatures Applications rDS(ON) = 45m (Typ.), VGS = 10V, ID = 9A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 26nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchrono

 8.1. fdd2570.pdf Size:97K _fairchild_semi

FDD2572_F085
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February 2001FDD2570150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.7 A, 150 V. RDS(ON) = 80 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 90 m @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate chargeThese MOS

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