2SK895 Todos los transistores

 

2SK895 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK895
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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2SK895 Datasheet (PDF)

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2SK895

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK895FEATURESDrain Current : I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

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Otros transistores... 2SK4204LS , 2SK4227JS , 2SK430L , 2SK430S , 2SK591 , 2SK736 , 2SK810 , 2SK811 , IRLB4132 , 2SK896 , FMW60N070S2HF , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L , ISCD3NK80Z .

History: JFFC10N65C | SFG10S10PF | SST60R360S2E | SSF2439E | STB21N65M5 | WMM15N70C4

 

 
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