60NM60L-T3P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 60NM60L-T3P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2730 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TO3P

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60NM60L-T3P datasheet

 7.1. Size:447K  1
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60NM60L-T3P

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 60NM60 Power MOSFET 60A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 60NM60 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC con

 7.2. Size:330K  inchange semiconductor
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60NM60L-T3P

isc N-Channel MOSFET Transistor ISC60NM60L FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 65m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

 8.1. Size:291K  st
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60NM60L-T3P

STY60NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050 - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY60NM60 600V

Otros transistores... 2SK430S, 2SK591, 2SK736, 2SK810, 2SK811, 2SK895, 2SK896, FMW60N070S2HF, AON7410, 60NM60L-T47, 60NM60G-T3P, 60NM60G-T47, ISC60NM60L, ISCD3NK80Z, ISCNH060D, FDN363N, ISCNH363N