60NM60L-T47 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 60NM60L-T47
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 156 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 60NM60L-T47

60NM60L-T47 Datasheet (PDF)

7.1. Size:447K 1
60nm60l 60nm60g.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 60NM60 Power MOSFET 60A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 60NM60 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used atDC-DC, AC-DC con

7.2. Size:330K inchange semiconductor
isc60nm60l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor ISC60NM60LFEATURESDrain Current : I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

8.1. Size:291K st
sty60nm60.pdf