STU03N20 Todos los transistores

 

STU03N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU03N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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STU03N20 Datasheet (PDF)

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STU03N20

STU03N20GreenProductSTD03N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.3.28 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.200V 2A3.59 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (

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STU03N20

STU03L01GreenProductSTD03L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.0.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.100V 2A1.1 @ VGS=4.5V ESD Protected.GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA

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STU03N20

STU03L07GreenProductSTD03L07aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.228 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.70V 9A 267 @ VGS=4.5V GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO

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History: HM2300D | 2SK1411 | IRFZ34A | 2SJ449

 

 
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