STU03N20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU03N20  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.28 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU03N20 datasheet

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STU03N20

STU03N20 Green Product STD03N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 3.28 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 200V 2A 3.59 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK (

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STU03N20

STU03L01 Green Product STD03L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 0.9 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 100V 2A 1.1 @ VGS=4.5V ESD Protected. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA

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STU03N20

STU03L07 Green Product STD03L07 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 228 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 70V 9A 267 @ VGS=4.5V G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO

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