ISF40NF20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISF40NF20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: TO220F
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ISF40NF20 datasheet
isf40nf20.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor ISF40NF20 DESCRIPTION Drain Current I = 40A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.06 (Max) DS(on) Fast Switching Speed Low Drive Requirement Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low voltage, high spee
Otros transistores... ISCNH371D , ISCNH372B , ISCNH373F , ISCNH374D , ISCNH375W , ISCNH376L , ISCNH377B , ISCNH379P , STF13NM60N , ISH3N150 , IXFY26N30X3 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U .
History: 2SK2028-01MR | MDP5N50TH | AP4503AGM-HF | NTD4855N | RQA0004LXAQS | S30N08M | WPM4803
History: 2SK2028-01MR | MDP5N50TH | AP4503AGM-HF | NTD4855N | RQA0004LXAQS | S30N08M | WPM4803
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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